Welche Transistoren sind eurer meinung extrem stark ?

naja, was meinst du mit stark???
hoher hfe-wert oder hoher maximaler collector-emitter-strom

hfe-wert: BC547C ~800 0,03€
Ice: 2N3055 15A 0,40€

Für das Netzteil benutze ich IRFZ44N Transistoren, für die stufe wollte ich bd249c und bd250c benutzen da der MJ 10021 einfach zu teuer ist Welche könnte ich anstatt den BD´s noch nehmen ? 2SA... ?

was hälsten von darlingtons?

Habe ich in meiner ersten drinnen, sind aber etwas schwach oder extrem teuer Welche TO-3´s sind stark ?

Hallo,

Welche TO-3´s sind stark ?

stark ist ein dehnbarer Begriff. Wofür sollen sie sein?
MJ 15003 / 04
Uce 140V
Ic max 20A
Ic SOAR 5A @ 50V Uce
Ptot 250W
hfe ca. 25 @ 8A Ic
Fog 4Mhz
um die 3,50€

MJ 15024 / 25
Uce 250V
Ic max 16A
Ic SOAR 2A @ 80V Uce
Ptot 250W
hfe ca. 15 @ 8A Ic
Fog 3Mhz
um die 4,00€

HEXFET von International Rectifier

IRFP 260 N
35 Ampere 200 Volt 380 Watt und das für 2,20€ bei Reichelt

Hallo Lothar,

die kann er aber nicht einfach gegen BD 249 / BD 250 tauschen oder irre ich mich?

Danke, die IRFP 260 N sind aber Mosfet Transistoren, das kann ich noch nicht, daher die bd249 und bd250

Danke, die IRFP 260 N sind aber Mosfet Transistoren, das kann ich noch nicht, daher die bd249 und bd250

was heisst hier, das kannst du nicht?
du willst einen extrem leistungsfähigen verstärker bauen, aber weisst noch nichtmal, wie ein transistor oder ein mosfet (damit du was lernst: Metal Oxyde Semiconductor-Field Effect Transistor) funktioniert

prinzipieller unterschied beim anschluss:

Basis = Gate
Collector = Drain
Emitter = Source

oder:
haste schon mal probiert, bei deinen bds 2 oder 3 parallell zu schalten und die spannung zu erhöhen?

@athlontakter
Ein par kleine Unterschiede gibt es da schon noch:
Der Bipolare wird mit Strom gesteuert und macht bei ca. 0.7V Ube auf. Der MOSFET wird mit Spannung gesteuert und öffnet erst ab 2..4 V Ugs (Schwellspannung)

Ansonsten bin ich natürlich sehr einverstanden mit MOSFETs.

@Ultraschall
Hallo erst mal,
was soll er denn für einen P-Typen dafür nehmen?
Und was machst du eigentlich, wenn deine Transistoren warm werden mit deinem Ruhestrom?
Auf dem Diagramm sieht man, dass der Strom mit der Temperatur richtig ansteigt bei Ugs konstant. Wie kompensierst du das eigentlich in deiner Schaltung? Machen das die Dioden? Oder hörst du nur leise?

Bezug: http://www.hifi-foru...um_id=71&thread=1816
MfG Tillg

PS: Diagramm ist übrigens aus IRFP260N-Datenblatt.
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfp260n.pdf

nein, schon klar, das es da seeeehr viele unterschiede sind zwischen feldeffekttransen und normalen transen,
ich wollte nur mal erklären, für die leute, die nur nen schaltplan nachbauen, wie der angeschlossen wird...

ach ja nochwas: gibts und wenn ja, wie nennt sich der npn-vergleichstyp der IRFP 260n?

@athlontakter

Bei MOSFETS gibt's kein pnp, da heisst das P-Kanal-Typ.
in http://www.irf.com/product-info/hexfet/ gibt's die Auswahl. Da kannst du selber suchen. Ich hab keinen gefunden, jedenfalls nicht bei 200V. Da man die sowieso nicht braucht, kann man auch noch bei weniger Spannung kucken.
Rdson, Imax sollten gleich sein, Pmax annähernd und Gehäuse wegen der Ästhetik.
MfG Tillg

ich hab den perfekten mosfet gefunden: IRL 3705N, kostet schlappe 1,05€ und liefert satte 89A!

nur bin ich jetzt wirklich ein wenig auch noob und frag mal: was brauch ich am gate für einen vorwiderstand für 12V?, ich nehm mal an, ich muss den widerstand so dimensionieren, das IGSS gerade noch gegeben ist, also bei 12V 100nA, wären nach Adam Riese 120Mohm, aber das ist meiner meinung nach doch etwas übertrieben, wie rechne ich das jetzt?

Tillg schrieb:

@Ultraschall Hallo erst mal, was soll er denn für einen P-Typen dafür nehmen? Und was machst du eigentlich, wenn deine Transistoren warm werden mit deinem Ruhestrom? Auf dem Diagramm sieht man, dass der Strom mit der Temperatur richtig ansteigt bei Ugs konstant. Wie kompensierst du das eigentlich in deiner Schaltung? Machen das die Dioden? Oder hörst du nur leise? Bezug: http://www.hifi-foru...um_id=71&thread=1816 MfG Tillg

Tag Tillg,
(Du wirst zur Bereicherung.)
Habe heute früh herrlich laut den Radetzkymarsch (Johann Strauß Vater)gehört.
(Wahrscheinlich hat die Nachbarschaft ihn auch gehört
-Die Endstufen sind immer noch ganz.)

Drei Punkte : ersten sind andere Fets drin als der 260,
zweitens machen die Dioden etwas und dann sind da drittens noch die Sourcewiderstände. Ist ja schon einige Jahre her, aber damals habe ich mir das schon überlegt. Und anscheinend richtig, sonst wäre ja schon mal was passiert.

Und dann gibt es bei Fets ja den Punkt mit Tk=Null entspricht den Schnittpunkt der beiden Kurven 25/100 Grad oberhalb dessen sinkt der Ruhestrom wieder.
Aber ich habe das nach 7..8 Jahren nun wirklich nicht mehr im Kopf. Aber sie spielen und spielen....

kann mir jemand sagen, wie ich den gate-widerstand von mos/hexfets ausrechne? will ja nich drängeln, aber möcht noch bestellen

@Athlon...

das IGSS gerade noch gegeben ist, also bei 12V 100nA, wären nach Adam Riese 120Mohm, aber das ist meiner meinung nach doch etwas übertrieben, wie rechne ich das jetzt?

Alter, Du machst Dich über andere lustig, die den Unterschied zwischen MOSes und Bipolaren nicht kennen und stellst solche Fragen?

Bei der Ansteuerung von MOSes ist der _entscheidende_ Punkt die parasitäre Gate- Kapazität... nicht der Gate- Strom.
Mit den 120Mohm wird Dein Amp eine recht bescheidene Grenzfrequenz von, sagen wir 0,01Hz haben :-)

Vielleicht reicht Dir das nicht ganz... Würde jedenfalls eher leise klingen :-)
Man könnte auf die Tour aber einen netten Dimmer für eine Innenraumbeleuchtung im Auto machen...

Grüße,

Oliver.

naja, zugegeben, mein post gegenüber dieflut war etwas übertrieben. sorry.
ich hab früher immer nur schaltungen einfach so nachgebaut, wie sie im internet waren, doch nachdem das langweilig wurde, bau ich jetzt lieber selbst was.
laut unserem physikbuch ist zwischen source und gate ne isolierende SiO2-schicht, so dass der gatestrom sehr begrenzt ist, heisst, ich brauch keinen vorwiderstand.
nur in den selbstbauprojekten hier im forum, bei der mosfet-endstufe ist ein gatewiderstand drinne, warum das?
wäre doch für ne erklärung sehr dankbar, weil ich auch noch nicht ausgelernt habe

mfG

athlon

Der Gatewiderstand bei MOSFETs ist drin, um die an Schwingungen zu hindern. (Die drücken Dir dann sogar einen UKW Sender im Radio weg, wenn die schwingen.)Erfahrungswerte sind hier so 47-330 Ohm. Ich probiere die immer einfach. Eher kleiner als größer, um die Fets schneller zu lassen.

also sind die praktisch da, um hohe frequenzen du dämpfen, wenn ich dass jetzt (hoffentlich) kapiert habe. meine sind ja nicht fürn verstärker, sondern für einen wechselrichter/bzw. schaltnetzteil, also, lieber einen kleineren wert, weil ich ja an die 30-50khz hab

danke für den tipp..

@athlontakter

Genau, und weil du da nict analog verstärkst, sondern richtig durchschaltest, lässt du ihn ganz weg. Der hat keine Zeit zum Schwingen.

Gruß Tillg

wunderbar, danke

Hallo,

eine Anfängerfrage:

kann ich in einer Quasikomplementärstufe die BD249 gegen Mosfets austauschen?
Wenn ja, wie? Sind große Änderungen nötig?

viele Grüße
hispon