N-FET Drain/Source immer austauschbar?

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Mimamau
Inventar
#1 erstellt: 29. Dez 2012, 06:30
Sind bei N-FETs Drain und Source immer beliebig austauschbar? Sprich ist es egal wierum ich diese anschliesse?
Ist bei FETs im TO-92-Gehäuse in der Mitte immer das Gate, oder gibt es hier auch Ausnahmen?

Ich plane gerade einen Phono-Pre mit N-FETs nach Aikido (John Broskie) und passiver Entzerrung, ähnlich dem bekannten und gelobten Gerät von Herrn Otto. Beim Entwurf des Layouts wäre es praktisch, wenn ich die FETs beliebig 'drehen' darf. Da ich schon einen Aikido Phono-Pre mit Röhren habe, der mir wirklich sehr gefällt, wollte ich das auch mal mit FETs probieren.
uweda
Stammgast
#2 erstellt: 29. Dez 2012, 07:50
Ist bei FETs im TO-92-Gehäuse in der Mitte immer das Gate, oder gibt es hier auch Ausnahmen?

datenblatt?
jehe
Inventar
#3 erstellt: 29. Dez 2012, 08:09
Naja, viel besser wie es wikipedia beschreibt, hätte ich es jetzt auch nicht formulieren können.....

".....diese Tatsache ermöglicht prinzipiell einen inversen Betrieb des FET, d. h., Drain und Source können vertauscht werden. Allerdings trifft das nur auf sehr wenige FETs zu, weil die meisten Typen sowohl unsymmetrisch aufgebaut sind, als auch die Anschlüsse Bulk und Source intern verbunden sind. Zudem kann der unipolare Kanal als bidirektionaler Widerstand benutzt werden und somit nicht nur Gleich-, sondern auch Wechselströme beeinflussen, was z. B. bei Dämpfungsschaltungen (Abschwächer, Muting) genutzt wird."
Mimamau
Inventar
#4 erstellt: 29. Dez 2012, 08:26

uweda schrieb:
Ist bei FETs im TO-92-Gehäuse in der Mitte immer das Gate, oder gibt es hier auch Ausnahmen?

datenblatt?

Darum frage ich ja, wenn ich ins Datenblatt (zu einem speziellen Typ, sagen wir 2SK170 und 2N3819) sehe, kenne ich die Belegung. Ich wollte nur wissen, ob das grundsätzlich immer der Fall ist. Dann könnte ich mit einem Layout mit verschiedenen Typen experimentieren.
Ultraschall
Inventar
#5 erstellt: 29. Dez 2012, 11:37

Mimamau schrieb:
Sind bei N-FETs Drain und Source immer beliebig austauschbar? Sprich ist es egal wierum ich diese anschliesse?


Soweit wie ich es weiß, bei JFETS = SFETS ja.

Das gilt aber nicht für andere FET Arten, wie zum Beispiel Powermosfets!

SK170 und SK369 gibt es nur noch als sehr wenige Restposten, also zuschlagen solange man noch ein paar erwischt.

Grüße
ESELman
Stammgast
#6 erstellt: 29. Dez 2012, 14:17
Hi,


Sind bei N-FETs Drain und Source immer beliebig austauschbar?

Klare Antwort: Nein

Es gibt sogar Typen mit gleicher Bezeichnung, bei denen die Pinbelegung unterschiedlicher Hersteller unterschiedlich ist.
Unrühmliche Beispiele sind z.B. die BF246/247 von NXP/Philips im Vergleich zu den Fairchilds.
Der Fairchild BF246A entspricht dem Philips BF247A, der Fairchild BF246B dagegen einem um 180° gedrehten Philips BF246B.
Um ein Datenblatt des jeweiligen Herstellers wirst Du nicht herum kommen.

DerESELman
Mimamau
Inventar
#7 erstellt: 29. Dez 2012, 20:28
Danke euch, mir ging es hauptsächlich im JFETs.
Ultraschall
Inventar
#8 erstellt: 29. Dez 2012, 23:26
Aber Eselsmann- gerade das von Dir geschilderte, würde ja auf das beliebige Vertauschen hindeuten. Logisch?
ESELman
Stammgast
#9 erstellt: 30. Dez 2012, 13:37
Hi,

nein, eben nicht. Die BF246A von Philips und Fairchild haben unterschiedliche Belegung. Da würde auch ein 180° drehen nichts bringen.
Ähnliches gibt es bei den beliebten bipolaren Transen 2N5401/5551, wo der KEC-Typ anders belegt als der Rest der Hersteller wie ON-Semi, Fairchild, NXP etc.
Fazit. Datenblätter besorgen und schauen was Sache ist. Es tut ja auch gar nicht weh, zu wissen was man vor sich hat und was man eigentlich tut

DerESELman
Kay*
Inventar
#10 erstellt: 30. Dez 2012, 16:29

Klare Antwort: Nein

auch meine Meinung,
ein klares: Nein

ich erinnere schlechtere Eigenschaften, ich meine Rauschen,
bei den Fet's, bei denen sich überhaupt der Kanal drehen lässt
uweda
Stammgast
#11 erstellt: 30. Dez 2012, 17:31
beim bf245abc sagt philips ja.
s und d sind gleichwertig und können vertauscht werden.
beim ivan jfet kp303 geht´s auch.
mfg
Kay*
Inventar
#12 erstellt: 30. Dez 2012, 20:22
...
das würde bedeuten, dass der Kanal symetrisch in Bezug
zum Gate aufgebaut ist
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/1101211.htm
lässt einen anderen Verdacht aufkommen.

Mein Problem ist meine Erinnerung
und die generalisierde Fragestellung

----
doch nicht so schlecht erinnert:)
aus: Wirsum, FETs und VMOS 1980
"
...Source und Drain ... vertauschbar.
Da FETs häufig unsymetrisch aufgebaut sind, führt der
Inversionsbetrieb zu einer Verschlechterung ihrer
elektrischen Fähigkeiten.


[Beitrag von Kay* am 30. Dez 2012, 21:07 bearbeitet]
uweda
Stammgast
#13 erstellt: 30. Dez 2012, 23:36
Da FETs häufig unsymetrisch aufgebaut sind, führt der
Inversionsbetrieb zu einer Verschlechterung ihrer
elektrischen Fähigkeiten.

außer der hersteller sagt da zu ausdrücklich was anderes.
der bf245 scheint symetrisch aufgebaut zu sein.
häufig heist ja nicht auf jeden fall.
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