Brauche Hilfe! Bipolartansistoren

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DC88
Schaut ab und zu mal vorbei
#1 erstellt: 14. Apr 2009, 19:58
Kann mir jemand folgende Frage beantworten: "In welchen Parametern unterscheiden sich prinzipell Germanium- und Siliziumtransistoren?"?

Ich hab im Netz schon gesucht, aber nichts aussagekräftiges gefunden.

Kann mir jemand helfen?

Ich brauch das ganze für die Vorbereitungsaufgaben für ein analoge Schaltungstechnik-Praktikum.

Vielen Dank im Voraus!
Radiologe
Inventar
#2 erstellt: 14. Apr 2009, 20:03
da steht doch eigentlich das wesentliche kurz und knapp http://de.wikipedia.org/wiki/Germaniumdiode

Gruß Markus
DC88
Schaut ab und zu mal vorbei
#3 erstellt: 14. Apr 2009, 20:24
Wenn ich mal zusammenfasse:
- Germaniumtransistoren haben kleinere Ube (ca.0,2V)
- Germaniumtransistoren sind Temperaturempfindlicher
- Germaniumtransistoren haben größere Sperrströme und Temperaturdrifte

Stimmt das so, oder gibts noch was zu ergänzen?
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