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Eure Meinung zu dieser Mosfet Endstufe gefragt!+A -A |
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Autor |
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omulki
Stammgast |
#1 erstellt: 22. Sep 2005, 19:27 | |
Hallo *, ein Bekannter (auch Member hier) trägt sich mit dem Gedanken auf der Basis der Thel Module eine Endstufe aufzubauen. Nach genauer Betrachtung der Schaltung halte ich diese aber stellenweise für höchst fragwürdig und würde die MOS- Experten unter Euch bitten, Statements dazu abzugeben. http://www.vigier.demon.nl/ unter Projects -> Amplifier -> Thel Accusound 100 Besonders fehlen mir Source und Drain Widerstände an den Endtöpfen. Wo ist da die Lastverteilung und die übliche "Notgegenkopplung"? Die Temperaturkompensation des Ruhestromes sieht mir auch etwas sehr spartanisch aus... Sehr nett hingegen finde ich die doppelte Ankoppelung der Diffstufe. Was haltet Ihr davon? Grüße und danke, Oliver. |
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Ultraschall
Inventar |
#2 erstellt: 22. Sep 2005, 21:26 | |
Sorry , schau dir die reads Mosfet 2 und Mosfet3 an. Früher hätte ich das von Thel auch für Highend gehalten, heute überhaupt nicht mehr so richtig. In den oberen Threads findest Du echt wesentlich besseres. Bei Thel fehlen z.B. : die Impendanzwandlerstufen vor den Fets (Treiber); sämtliche Fets (auch die in den Kaskoden)sind zu langsam; durch die fünffach Parallelschaltung werden sie noch langsamer; die Ruhestromkompensation über nur einen Heißleiter (nichts gegen die Teile)dürfte echt stark überkompensieren, die vier LED in den Kaskoden überkompensieren ebenfalls deren Tk deutlich, hier wäre je eine Referenzdiode(intern Tk kompensiert und eine Si-Diode in Reihe besser); die bipolaren Transis in den Kaskoden sind zu langsam;(aber 1000µF/Low inductive- für was bei so einer langsamen Schaltung?) die fehlende Sourcewiderstände hast Du schon angesprochen; wahrscheinlich würde einen beim längeren Betrachten noch mehr auffallen. Es gibt aber inzwischen Mono3 /Mosfet3 und ich arbeite heimtückisch, still und leise schon an Mono4 Also, dein Bekannter soll eine zeitgemässe Schaltung nehmen und nicht eine auf einen Stand von 1990. |
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omulki
Stammgast |
#3 erstellt: 22. Sep 2005, 21:40 | |
Hallo und danke! Mosfet3 hatte ich ihm sofort geraten, aber er will nicht selbst aufbauen... Und die Thel gibbet halt fertisch. Ich denke nachdem Andreas deinen Post liest, wird er sich doch nen Lötkolben zulegen :-) Hast Du von der Mosfet3 ein Layout? Ja, man findet noch mehr Fehler... z.B. Thema DC-Offset?! Dennoch die Frage (weil's mich technisch interessiert): Wie schlimm wirken sich die fehlenden Sourcewiderständ aus, wenn ich mal ganz lieb bin und halbwegs selektierte Transen annehme? Bipolar wäre so die Verteilung der Lasten ein ganz schlechter Witz... Von MOS habe ich nur keine Ahnung. Aber da war doch was von wegen Temperaturkoeffiezient und Selbstverteilung der Last?? Grüße, Oliver. |
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Ultraschall
Inventar |
#4 erstellt: 22. Sep 2005, 21:55 | |
Ist so eine Sache bei Fets, unterhalb eines bestimmten Wertes ist es mit denen ähnlich, wie mit bipolaren Transis. Heißt sie schaukeln sich auch erst mal auf. Oberhalb eines bestimmten Stromes/Temperatur nimmt ihre Leitfähigkeit dann ab und die Ströme verteilen sich wieder parallel. Siehe hierzu: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfp240.pdf Seite 955 Figure 3 Widerstände sind schon zu empfehlen und wenn es 0,05 Ohm sind. |
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richi44
Hat sich gelöscht |
#5 erstellt: 23. Sep 2005, 08:26 | |
Sourcewiderstände bringen eigentlich nichts oder fast nichts. Bei einem bipolaren Transistor hast Du bei 0,5V Ub noch keinen Strom, bei 0,75V aber ist das Ding in der Sättigung. Die Aussteuerkurve ist somit 0,25V und folglich hast Du mit kleinsten Emitterwiderständen schon eine gute Strom- und Datenangleichung. Bei einem MOSFET beginnt die Leitfähigkeit bei etwa 2 bis 2,5V, für den Ruhestrom liegt das Gate bei etwa 3,5V und der Maximalstrom wird bei etwa 7V erreicht. Hier ist also die Kurve wesentlich länger, sodass Du zur Angleichung auch wesentlich unterschiedlichere Spannungen und damit Widerstände bräuchtest, die gegen eine Zehnerpotenz grösser wären als bei den Bipolaren. Ausserdem besteht nicht die Gefahr, dass die Fet verheizt werden, weil sie ab einem bestimmten Punkt mit steigender Temperatur den Strom reduzieren. Daher ist auch die Zenerdiode 6,2V im Einsatz, um die Gatespannung nicht über diesen Wert ansteigen zu lassen und damit den Strom zu begrenzen. Das Übrige müsste man im Detail prüfen. Man fände sicher noch Haare in der Suppe, aber da schliesse ich mich (der Einfachheit halber) Ultraschall an. |
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tiki
Inventar |
#6 erstellt: 23. Sep 2005, 13:56 | |
Apropos Thel: wer mal deren tolle Frequenzweiche analysiert und mit den versprochenen Eigenschaften vergleicht, kann die Jungens wohl besser einschätzen. Gruß, Timo |
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omulki
Stammgast |
#7 erstellt: 25. Sep 2005, 03:05 | |
Hallo,
Danke. Wie gesagt, da war so etwas in meinem Hinterkopf... Warum sind die R aber dann meistens drin?
Wie mich diese Aussage freut! Ich hatte nämlich als (wenn auch bisher bipolarer) Praktiker existenzielle Probleme mit seiner Angabe der Slew Rate von 230V/µs!!! ...Deren Grundlage ich v.a. anhand des Schaltplanes wirklich nicht sehen kann. Wenn wir uns hingegen anhand der Schaltung auf 23V/µs einigen können ...sehe ich alles ein und muss meine eigenen Endstufen nicht wegwerfen . Grüße, Oliver. |
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Ultraschall
Inventar |
#8 erstellt: 25. Sep 2005, 09:37 | |
Ich weiß nicht, kann mich ja auch täuschen, aber mit den Parallelschalten wäre ich trotzdem vorsichtig. Weil wie gesagt schaut euch das Datenblatt an. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfp240.pdf Anfangs schaukeln die sich schon hoch. Der TK wird erst rechts ab den Schnittpunkt der beiden Kurven in Figure 3 positiv. Und um Zehnerpotenzen höhere Widerstände ? Dafür öffnet ein bipolarer ab 0,6 Volt, Fets aber erst meist ab ca. 3 Volt. Gut dann brauchen sie länger, bis zur vollständigen Öffnung. Aber parallele Fets messe ich auf Paarigkeit aus. Heiß Unterschiede Ugs kleiner 50 mV. Und dann wirken 0,1 Ohm auch schon deutlich,( wenn auch nicht völlig für gleichmäßige Stromverteilung sorgend). [Beitrag von Ultraschall am 25. Sep 2005, 09:38 bearbeitet] |
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